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  • 法律状态
  • 优先权
    • 专利摘要:
    DieErfindung betrifft ein Verfahren zum Ätzen eines porösen Dielektrikums.Das Verfahren umfasst Plasmaätzender dünnenSchicht in einer Plasmaätzkammermit CF4, H2 undeinem Edelgas, wobei das Verhältnisvon CF4-Gasfluss zu H2-Gasflusszwischen 1,33 : 1 und 2,7 : 1 beträgt und der Edelgasfluss größer alsetwa 42% des gesamten Gasflusses in der Plasmakammer ist.
    公开号:DE102004017533A1
    申请号:DE200410017533
    申请日:2004-04-08
    公开日:2005-01-13
    发明作者:Joon Chai Blackwood Yeoh
    申请人:Aviza Europe Ltd；
    IPC主号:H01L21-3065
    专利说明:
    [0001] DieErfindung betrifft Verfahren zum Ätzen einer porösen Dielektrikum-Schicht,welche einen Teil eines Verbindungsaufbaus auf einem Substrat, wiebeispielsweise einem Wafer oder einem Mehrchipmodul, ausbildet.Die Erfindung betrifft insbesondere, jedoch nicht ausschließlich, einVerfahren zum Ätzeneiner porösen Dielektrikum-Schicht,welche einen Teil einer Dualdamaszen-Struktur ausbildet. Die Erfindungbetrifft insbesondere ein Verfahren zum Ätzen des oberen Teils einerDualdamaszen-Struktur.
    [0002] Umdie RC-Produkte in Verbindungsschichten zu reduzieren, ist es erforderlich,die kapazitive Kopplung zwischen benachbarten Leitern zu reduzieren.Es sind daher Werkstoffe mit niedriger Dielektrizitätskonstante(k) wünschenswert,und es ist bekannt, dass ein Vakuumsspalt den niedrigsten Wert k= 1 hat. Ein bekanntes Verfahren zur Reduktion des k-Wertes beigroßenIsolatoren ist das Einführeneiner Porositätderart, dass eine Matrix aus Werkstoff und Ausnehmungen vorhandenist, wodurch sich k auf einen Wert reduziert, der kleiner ist alsder von der Matrix.
    [0003] DerartigeporöseWerkstoffe zeigen zahlreiche Probleme bei der Integration in praktischeVorrichtungen, und eine zusätzlicheKomplexitätergibt sich dadurch, dass immer kleinere Strukturen erforderlichsind. Bis heute wurden keine porösenDielektrika erfolgreich in bekannte Vorrichtungen bei deren Massenherstellungfür den öffentlichenVerkauf integriert.
    [0004] Beispielsweisegibt es bei Knotenpunkten der 65 Nanometer Technologie ein Potential-Integrationsschema,wodurch die Gesamtdicke des Dualdamaszen-Dielektrikums ohne darin befindliche Ätzstoppschicht abgelagertwird. Der Graben wird dann füreine zeitlich gesteuerte Dauer in das Dielektrikum hinein geätzt, und nacheinem teilweisen Eindringen in die Dicke des Dielektrikums wirddas Ätzenbeendet. Jenseits und über diewohlbekannten, wünschenswertenAspekte des anisotropen Ätzenshinaus gibt es die zusätzlicheNotwendigkeit, dass der Boden des geätzten Grabens glatt bzw. ebenist. Dies ist offensichtlich eine große Herausforderung, wenn dasDielektrikum porösist (d. h. Ausnehmungen enthält).Wenn die Ausnehmungen sehr klein sind, dann ist das Stoppen in demDielektrikum mit Ausnehmungen in gewisser Hinsicht akzeptabel, wobeiein "Heilen" ("healing") dieser Ausnehmungenebenfalls wünschenswertist.
    [0005] DieAnmelder haben ein porösesDielektrikum entwickelt, welches als OrionTM bekanntist und in verschiedenen Patentanmeldungen im Namen der Anmelderbeschrieben ist, beispielsweise in WO/03/009364. Dieser Werkstoffhat einen k-Wert im Bereich von 1,8 bis 2,6 und ist derzeit in derErprobung fürdie Integration in 65 Nanometer (und kleiner 65 Nanometer) Entwurfsregellogikvorrichtungen("design rule logicdevices") mit einemk-Wert von 2,2 bis 2,5. Dieser Werkstoff wurde in dieser Erfindunggeätzt,obwohl die Erfindung beliebige poröse Kohlenstoff dotierte Siliziumdioxid-Dielektrikamit niedrigem k-Wert betrifft, wie beispielsweise ein Werkstoffvom SiCOH-Typ. Typischerweise weisen derartige Kohlenstoff dotierteOxide Methyl-Gruppen auf, die in diesen enthalten sind. Die Kohlenstoffkonzentrationen(und damit auch die Wasserstoffkonzentrationen) können variiertwerden, wobei höhereKonzentrationen unter bestimmten Umständen zu Porosität führen.
    [0006] Esist zu betonen, dass diese Anmeldung nicht geätzte Seitenwände betrifft.Es ist bekannt, zum Erzielen eines anisotropen (gerichteten) Ätzens Polymerauf Sei tenwändeabzulagern, um diese vor dem chemischen Angriff zu schützen, während einBeschießender Ätzfront(Boden des Grabens) diese Schutzschicht entfernt und dadurch einabwärtsgerichtetes Ätzenermöglicht.Nach dem Ätzenwerden der Fotolack und Reste des Polymers entfernt.
    [0007] Esversteht sich ferner, dass in nahezu allen Fällen durch Werkstoffschichten,welche eine Zwischenschicht ausbilden, vollständig hindurch geätzt wird,so dass der Ätzprozessan einer "Ätzstopp"-Schicht oder jederanderen Schicht, die von dem verwendeten Ätzmittel langsamer geätzt wirdals die zu ätzendeSchicht, stoppt. Es ist in gewisser Weise ungewöhnlich, das Ätzen vordem vollständigenDurchätzeneiner Schicht zu beenden, jedoch ist das Eliminieren einer Ätzenstopp-Schichtin höchstemMaße wünschenswert,da dies den effektiven k-Wert der Struktur reduziert und die Anzahlder Grenzschichten zwischen den Schichten verringert. Die Anmelderhaben herausgefunden, dass, was möglicherweise nicht überraschendist, ein rauer Grabenboden ausgebildet wird, wenn ein derartigesTeilätzenauf einem porösenDielektrikum ausgeführtwird. Dies ist aus 1(a) und 1(b) ersichtlich.
    [0008] 1(a) und (b) zeigenraue Ätzfrontenin einem Rasterelektronenmikroskopbild nach Teilätzen unter Verwendung von CF4- und CH2F2-Gasen bei 1250 Watt Plasmaleistung einerHelikonquelle (helicon source), 400 W Platten(Wafer)-Vorspannleistung,2 mTorr, mit Wafer-Helium-Gegendruck von 15 Torr (was eine Wafer-Oberflächentemperaturvon etwa 90 bis 100°Cergibt, wie durch temperatursensitive Etiketten angezeigt) in einerMORITM-Prozesskammer, wie sie von den Anmelderngeliefert wird.
    [0009] 1(a) zeigt eine Dualdamaszen-Struktur.Die geätzteporöseOxidoberflächeist mit 1 bezeichnet.
    [0010] Esexistiert daher ein Bedarf füreinen verbesserten Ätzprozess,um einen glatten Boden eines geätztenMerkmals, welches innerhalb einer Kohlenstoff dotierten porösen dielektrischenSchicht aus Siliziumoxid hergestellt wird, zur Verfügung zustellen.
    [0011] Gemäß einemAspekt betrifft die Erfindung ein Verfahren zum Ätzen einer dünnen, Kohlenstoffdotierten dielektrischen Schicht vom Siliziumdioxid-Typ, umfassendPlasmaätzender dünnenSchicht in einer Plasma-Ätzkammermit CF4H2 und einemEdelgas, wobei das Verhältnisvon CF4-Gasstrom zu H2-Gasstromzwischen 1,33 : 1 und 2,7 : 1 liegt und der Edelgasstrom größer istals etwa 42% des gesamten Gasstromes durch die Plasmakammer.
    [0012] Gemäß einemanderen Aspekt stellt die Erfindung ein Verfahren zum Plasmaätzen einerporösendielektrischen Schicht aus Kohlenstoff dotierten Siliziumoxid-Werkstoff, wie einSiCOH-Werkstoff, mit den folgenden gewünschten Charakteristiken zurVerfügung: Charakteristik erzieltesResultat Ätztiefe 40–70% derDünnschichtdicke Ätzrate 200–500 nm/min Selektivität zum Fotolack größer als5 : 1 ARDE-Prozentsatz(ARDE = Aspect Ratio Dependent Etchrate; seitenverhältnisabhängige Ätzrate:die Differenz der Ätzratebei Merkmalen (features) mit unterschiedlichem Seitenverhältnis) wenigerals 5% Micro-Trenching nichtsichtbar in einem Elektromikrograph Rauigkeit nichtsichtbar in einem Elektromikrograph, wenn die Oberfläche in Aufsichtoder mit 45° Glanzwinkelbetrachtet wird (mit minimaler Vergrößerung von 20.000)
    [0013] Obwohldie Erfindung oben beschrieben wurde, versteht es sich, dass diesejedwede erfindungsgemäße Kombinationvon Merkmalen umfasst, welche oben oder in der nachfolgenden Beschreibungoffenbart sind.
    [0014] DieErfindung kann auf unterschiedliche Weise ausgeführt werden, und nachfolgendwerden beispielhaft bevorzugte Ausführungsformen unter Bezugnahmeauf die beigefügtenZeichnungen beschrieben. Diese zeigen in:
    [0015] 1(a) und (b) Rasterelektronenmikroskopbilder(SEM) einer Ätzfrontund Teilätzenunter Verwendung von CF4- und CH2F2-Gasen;
    [0016] 2(a), (b) und (c) analoge Ätzfronten unter Verwendungvon CF4 und H2 mitzunehmenden Mengen von anwesendem Argon;
    [0017] 3(a) die Ätzfront,welche sich bei einem nicht optimierten Prozess ergibt;
    [0018] 3(b) den Effekt eines teilweiseauf Sauerstoff basierenden Abdeckschrittes auf den Werkstoff von 3(a);
    [0019] 4(a) und (b) denEffekt einer reduzierten Rückseitenkühlung;
    [0020] 5(a) und (b) analogeSEM-Bilder füreinen bestimmten Satz von Prozessbedingungen;
    [0021] 6(a) und (b) dasErgebnis des Prozesses bei Verwendung einer reduzierten Kühlung für bestimmteProzessbedingungen, welches mit 7 verglichenwerden kann;
    [0022] 7 eine analoge Darstellungfür denselbenProzess wie 6(a) und (b), jedoch mit erhöhter Kühlung; und
    [0023] 8(a) und (b) dieOberflächeder Ätzfront,bevor und nachdem ein Masken-Ätzen stattgefundenhat.
    [0024] Obwohleine raue Ätzfront 1(a) und (b),wie sie sich in 5 zeigt,als nahe liegende Konsequenz der Porosität der dünnen Schicht betrachtet werdenkönnte,wurde beobachtet, dass die Oberflächenrauigkeit größer warals die mittlere Po rengröße von 1bis 4 Nanometer. Dies legt nahe, dass die Rauhigkeit der Ätzfront nichteinfach des Ergebnis der Freilegung der Poren ist, und es wurdedaher postuliert, dass ein verbesserter Ätzprozess zu einer glatteren Ätzfront/einemglatteren Boden des Grabens führenkann.
    [0025] Anfänglich habendie Anmelder herausgefunden, dass Zugaben von Edelgas, wie beispielsweiseArgon, die Glattheit der Ätzfrontverbessern, wie in 2(a), (b) und (c) dargestellt.
    [0026] Jederder in 2 dargestelltenProzesse wurde in der oben erwähntenMORITM-Kammermit einem Kammerdruck von 110 mT, einer nur auf die Waferplatteangewendeten Plasmaleistung von 700 W und einem Heliumgegendruckam Wafer von 15T ausgeführt(d.h. die Wafertemperatur betrug etwa 90-100°C).
    [0027] Diebei den Beispielen gemäß 2(a), (b) und (c) verwendeten Gasflussraten betrugen:
    [0028] Bei 1 istdie Ätzfront/Bodenfläche desporösenOxids zusehen, wobei bei (a) keine Zugabe von Argon erfolgte, bei(b) Argon hinzu gegeben wurde und bei (c) am meisten Argon einemreaktiven Ionenätzprozess vonCF4 + H2 zugegebenwurde. Es wird sich zeigen, dass die Zugabe von Argon zu einer glatteren Ätzfront 1 führt, wobeidie Ätzfrontbei 2(c) am glattestenist. Dies ist das genaue Gegenteil von dem Erwarteten, da man annehmenwürde,dass ein Erhöhender physikalischen Sputterätzkomponentendurch Hinzufügeneines schweren Edelgases die Rauigkeit der Ätzfront eines Werkstoffes mitnicht gleichförmigerDichte erhöhenwürde.
    [0029] DerProzess gemäß 2(c) ist immer noch nichtakzeptabel und zeigt beispielsweise bei 2 ausgeprägtes Mikrotrenching.
    [0030] Esist zu betonen dass die Anmelder in allen Fällen aus folgenden Gründen eineMischung aus CF4 und H2 anstattdem sonst üblichenCF4/O2-Gemisch als Ätzgas gewählt haben.
    [0031] CF4 ist eine wohlbekannte und leicht zugänglicheFluorquelle und kann auf Grund seiner niedrigen Polymererzeugungmit niedrigeren Wafervorspannungsleistungen ätzen als andere bekannte Fluorenthaltende Ätzgase.Obwohl dünneSiliziumdioxid-Schichten im allgemeinen mit einem Gasgemisch ausCF4 und Sauerstoff geätzt werden, hat es sich herausgestellt,dass Sauerstoff aus dem Ätzprozessausgeschlossen werden sollte, da die Anmelder annehmen, dass eszur Bildung von Methylgruppen in der dünnen Schicht kommen kann, welchevon der dünnenSchicht durch das O2 abgestreift würden.
    [0032] Eswurde dann Wasserstoff wegen seiner Fähigkeit Fluor zu spülen, underhöhterSelektivitätauf Grund Unterdrückungder Ätzratevon Silizium in Vergleich mit Siliziumdioxid oder Karbid als zusätzlichesProzessgas ausgewählt.Wasserstoffplasma ist zum Heilen oder Behandeln von Werkstoffender Anmelder gemäß GB-A-0020509 mit niedrigem k-Wertbekannt. Es ist bekannt, dass höherePegel von Wasserstoff nur einen begrenzten Effekt auf die Ätzrate vonSiliziumdioxid haben und die Polymerisation erhöhen. Daher würde das PlasmaWasserstoffradikale direkt aus dem Wasserstoffgas anstatt von CH2F2-Gas zur Verfügung stellen.
    [0033] Argonwurde wegen seiner Fähigkeit,die Effektivitätder Ionisation zu erhöhen,als schweres Edelgas ausgewählt(es könnenauch andere ausgewähltwerden, wie beispielsweise Krypton oder Xenon).
    [0034] BeträchtlicheDOE(Design of Experiment)-Experimente wurden dann durchgeführt, diezu der Schlussfolgerung führten,dass ein CF4 : H2-Verhältnis von2 : 1 fürdiese Anwendung am besten ist und ein Bereich des Verhältnissesvon CF4– zuH2-Gasfluss zwischen 1,33 : 1 und 2,7 :1 akzeptabel ist.
    [0035] Diesist eine ungewöhnlichhohe Wasserstoffkonzentration. Es wird im allgemeinen angenommen, dassin einem Gasgemisch aus CH4+ Wasserstoffdie Ätzratesowohl fürSiliziumdioxid als auch fürSilizium bei etwa 40% Wasserstoff in dem Gasgemisch aus CH4 + H2 auf Grunddes Grades der Polymerisation auf etwa 0 abfällt.
    [0036] Eswurde weiterhin herausgefunden, dass für die verwendeten CH4- und H2-Flussratendie Argon-Flussrate wenigstens 90 sccm und vorzugsweise etwa 77%der gesamten Gasflussrate betragen sollte. Bei einem Prozess mit80 sccm CF4 und 40 sccm Wasserstoff betrugdie Argongas-Flussrate vorzugsweise 400 sccm und wenigstens 90 sccm.
    [0037] In 3(a) ist ein weiterer, nichtoptimierter Prozess dargestellt. Bei 1 ist die Ätzfrontdargestellt und zeigt eine gewisse Oberflächenrauigkeit beispielsweisebei 4 und Mikrotrenching beispielsweise bei 2 nach vollständigem Ätzen inetwa 80 Prozent von Orion porösemSICOH-Werkstoff mit einem k-Wert von 2,2. ARDE ist kleiner als 2%(0,25 nm/1,25 μm-Strukturen),die Selektivitätzu Fotolack 3 ist größer als6 : 1 und die Ätzrate istgrößer als300 nm/min. Dieselbe Struktur gemäß 3(a) wurde dann einem teilweisen Sauerstoffbasierten maskierten Abziehen unterzogen, und die Ergebnisse sindin 3(b) dargestellt.Wie ersichtlich, gibt es eine starke Rauigkeit auf dem geätzten Bodendes Grabens.
    [0038] Eshat sich herausgestellt, dass zum weiteren Verbessern der Resultatedes Ätzenswelches innerhalb der Dicke des porösen Kohlenstoff dotierten Oxidsstoppt, zwei weitere Veränderungennotwendig sind. Erstens sollte der poröse SICOH-Werkstoff kleine Poren mit eng kontrollierterVerteilung aufweisen. Ein Werkstoff mit einer durchschnittlichenPorengröße im Bereichvon 1 bis 4 Nanometer wird glatter geätzt als ein poröses Dielektrikummit einer großendurchschnittlichen Porengröße beispielsweisevon 4 bis 5 Nanometern und Poren mit einer Größe im Bereich von 2 nm bis12 nm. Es hat sich ebenfalls gezeigt, dass die Wafertemperatur während des Ätzens dieOberflächenrauigkeitder Ätzfrontbeeinflusst.
    [0039] EinehöhereWafertemperatur führtzu einer glatteren Ätzfront.Die maximale Temperatur ist jedoch durch die Retikulation des Fotolacksbegrenzt.
    [0040] Esist notorisch schwierig, die Temperatur einer dünnen Schicht während eines Ätzprozesses(oder Ablagerungsprozesses) zu bestimmen, da es praktisch un möglich ist,diese zu messen. Es könnenVersuche zur Abschätzungunter Verwendung von die Temperatur anzeigenden Etiketten oder "SensarrayTM"-Wafernmit eingebetteten Thermopaaren durchgeführt werden, jedoch sind dieslediglich Näherungen.Es wurde jedoch festgestellt, dass eine Reduktion des Druckes vonHelium an der Rückseitedes elektrostatisch geklammerten Wafers (wodurch die thermischeKopplung des Wafers zu der verwendeten elektrostatischen Klammerreduziert wurde) die Glattheit der Ätzfront verbessert, wie inden 4(a) und (b) dargestellt. Dies sind Submikrostrukturen,die auf 86% der Orion Dünnschichtdickegeätztwurden, wobei die Kühlmitteltemperaturder elektrostatischen Klammer auf –15°C gestellt ist. 4(a) zeigt das Ätzresultat mit 15 Torr Heliumdruck(ausreichend zum thermischen Koppeln des Wafers an die Klammer miteinem kleinen thermischen Gradienten) und 4(b) zeigt das Resultat mit 2 Torr.Wie ersichtlich, ist die Ätzfront 1 bei 4(b) glatter als bei 4(a).
    [0041] Temperaturabtastende Etiketten an der Oberfläche eines Wafers zeigen eineWafer-Oberflächentemperaturvon 93 bis 99°Cfür einenDruck von 15 Torr, –15°C Kühlmitteltemperaturund 143 bis 149°Cfür 2 Torr Helium-Rückseitendruckund –15°C Kühlmitteltemperatur.
    [0042] Eineakzeptable Wafer-Oberflächentemperaturfür denProzess dieser Erfindung wird daher auf über 100°C bestimmt, vorzugsweise liegtdiese Temperatur in einem Bereich von 130°C bis 220°C, insbesondere zwischen 130bis 170°Cund besonders bevorzugt bei etwa 150°C (die obere Temperatur istdurch den Fotolack begrenzt, höhereTemperaturen sind andererseits wenigstens potenziell gleichermaßen bevorzugt).
    [0043] Derbevorzugte minimale Druck fürden Prozess beträgt80 mTorr. 5(a) und (b) zeigen die Oberflächenrauigkeit 4 der Ätzfront 1 für Gasflüsse von70 sccm CF4, 30 sccm H2,90 sccm Ar und einer Leitung von 700 W mit einem Wafer-Helium-Rückseitendruckvon 15 T (Wafer "kalt").
    [0044] 6(a) und (b) zeigeneine glatte Ätzfront 1 nachdem Ätzenmit einer höherenWafer-Oberflächentemperatur(130 bis 170°C).Dies wird durch Reduzieren der Helium-Rückseitentemperatur auf 2 Torrerzielt, wodurch die thermische Kopp- lung zwischen Platte und Wafer herabgesetztwird. Die Prozessbedingungen waren ansonsten: CF4 – 84 sccm;H2 – 42sccm; Ar – 400sccm; Druck 200 mT und Leistung 1.000 W.
    [0045] 7 zeigt rauere Ätzfrontennach dem Bearbeiten mit niedrigerer Wafer-Oberflächentemperatur (–10°C bis +99°C), wennder Helium-Rückseitendruck 15 Torrbeträgt.Hierbei waren die Prozessbedingungen im Wesentlichen identisch zudenen gemäß 6 mit leichten Veränderungenbei den Flussraten von CF4 und H2, die jeweils 82,55 sccm und 37,5 sccm betrugen.
    [0046] Umzu beweisen, dass die verbesserte Glattheit der Oberfläche der Ätzfrontbei der Erfindung nicht auf Grund von Polymerresten auftritt, diedie Ätzfront/denBoden bedecken, wurde nach dem Ätzenein N2 + H2-Abstreifenverwendet, um den Fotolack zu entfernen. 8(a) zeigt die glatte Ätzfront 1 undden Fotolack 3 an seinem Platz nach dem heißen Ätzen. 8(b) zeigt die gleiche glatteOberflächeder Ätzfront 1 nach einemAbstreifen mit einem N2 + H2-Plasma,um den Fotolack zu entfernen. Es bleibt kein sichtbarer Polymerrestzurück.
    [0047] DieAuswirkungen erster Ordnung eines jeden einzelnen Faktors können wiefolgt zusammengefasst werden.
    [0048] Diebesten Prozessbedingungen zum teilweisen Ätzen eines SICOH-artigen Dielektrikumsmit glatter Ätzfrontsind daher: Ätzgase:80 sccm CF4, 40 sccm H2,400 sccm Ar, 5% Variation bei CF4 und H2 würdenzu ähnlichenResultaten führen,so lange das Verhältnisvon CF4 zu H2 beietwa 2 : 1 gehalten wird. Ätzprozessdruck:200 mTorr Plasmaleistung: 1.000 W mit 13,56 MHz angewendetauf die Waferplatte (RIE) (Die Leistung muss mit steigendem Druckerhöhtwerden, um einen "Waferlinsen-Effekt" ("wafer lens effekt") zu vermeiden). Wafer-Oberflächentemperatur:100 bis 170°C(beispielsweise durch Einstellen der Plattentemperatur und/oder derthermischen Kopplung mittels des Helium-Rückseitendruckes).
    权利要求:
    Claims (11)
    [1] Verfahren zum Ätzen einer porösen Kohlenstoffdotierten dünnendielektrischen Schicht vom Siliziumdioxid-Typ umfassend Plasmaätzen derdünnenSchicht in einer Plasmaätzkammermit CF4, H2 undeinem Edelgas, wobei das Verhältnisvon CF4-Gasfluss zu H2-Gasflusszwischen 1,33 : 1 und 2,7 : 1 beträgt und der Edelgasfluss größer alsetwa 42% des gesamten Gasflusses in der Plasmakammer ist.
    [2] Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet,dass das Verhältnisvon CF4 zu H2 etwa2 : 1 beträgt.
    [3] Verfahren nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet,dass das Edelgas Argon ist.
    [4] Verfahren nach Anspruch 3, dadurch gekennzeichnet,dass das Argon bis zu etwa 77% des gesamten Gasflusses in der Plasmaätzkammervorhanden ist.
    [5] Verfahren nach wenigstens einem der vorhergehendenAnsprüche,dadurch gekennzeichnet, dass die Dünnschichttemperatur im Bereichvon 100°Cbis 170°Cliegt.
    [6] Verfahren nach wenigstens einem der vorhergehendenAnsprüche,dadurch gekennzeichnet, dass der Kammerdruck im Bereich von 90 mTbis 300 mT liegt.
    [7] Verfahren nach wenigstens einem der vorhergehendenAnsprüche,dadurch gekennzeichnet, dass die dem Plasma zugeführte Leistungzwischen 700 und 1.000 Watt beträgt.
    [8] Verfahren nach wenigstens einem der vorhergehendenAnsprüche,dadurch gekennzeichnet, dass das Ätzen innerhalb der dünnen Schichtbeendet wird.
    [9] Verfahren nach Anspruch 8, dadurch gekennzeichnet,dass die dünneSchicht innerhalb einer Verbindungsstruktur angeordnet ist.
    [10] Verfahren nach wenigstens einem der Ansprüche 1 bis7, dadurch gekennzeichnet, dass das Plasmaätzen eine Verbindungsstrukturoder eine andere relevante Struktur in der dünnen Schicht ausbildet.
    [11] Vorrichtung mit einer dünnen Schicht, welche gemäß einemder vorhergehenden Verfahrensansprüche geätzt ist.
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    引用文献:
    公开号 | 申请日 | 公开日 | 申请人 | 专利标题
    法律状态:
    2005-05-12| 8128| New person/name/address of the agent|Representative=s name: ZEITLER, VOLPERT, KANDLBINDER, 80539 MüNCHEN |
    2009-02-19| 8139| Disposal/non-payment of the annual fee|
    优先权:
    申请号 | 申请日 | 专利标题
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